這篇科學(xué)論文討論了在現(xiàn)實系統(tǒng)中使用石墨烯的潛力，以及證明其具有競爭力的性能、可靠性和大規(guī)模制造途徑的必要性。研究人員使用單層石墨烯電吸收調(diào)制器作為測試工具，并將它們集成到 300mm 試點 CMOS 鑄造環(huán)境中。通過分析來自每個晶圓數(shù)百個器件的數(shù)據(jù)，他們確定并優(yōu)化了特定處理步驟對性能的影響。優(yōu)化后，他們展示了 50 dB/mm 的調(diào)制深度和高達 15.1 GHz 的電光帶寬，用于 25μm 長的設(shè)備。這些結(jié)果是使用 CMOS 兼容工藝實現(xiàn)的，該工藝允許大批量、低成本制造。研究人員認為，這項工作解決了石墨烯晶圓級集成的瓶頸，并且CMOS兼容的處理使基于石墨烯的器件與同一芯片上的其他光子學(xué)和電子學(xué)構(gòu)建塊的協(xié)集成成為可能。